p align="left">Таблица 3.3 - Основные характеристики линейного регулятора напряжения LM317LZ.|
Название характеристики | Параметры характеристики | | Корпус: | TO92 | | Мин. входное напряжение: | 5 | | Макс. входное напряжение: | 45 | | Выходное напряжение: | 1.2 ... 37 | | Номинальный выходной ток: | 1,5 | | Ток потребления: | 10000 | | |
Рисунок 3.3 - Линейный регулятор напряжения LM317LZ. 3.5 Диоды VD1, VD2, HL1, HL2, HL3. Основные характеристики диодов VD2, VD1, HL1, HL2, HL3 приведены в таблице 3.4, элементы HL1, HL2, HL3 изображены на рисунке 3.4. Таблица 3.4 - Основные характеристики диодов VD1, HL1, HL2, HL3. |
Название характеристики | Параметры характеристики | | | VD2 | VD1 | HL1, HL2, HL3 | | Тип: | Стабилитрон | Стабилитрон | Светодиод | | Модель: | КД212А | КД522Б9 | АЛ307А | | Корпус: | kd16 | SMD | КИ2-2 | | Рабочая температура, °С : | -60...+125 | -60...+70 | | Максимальное постоянное обратное напряжение, В: | 200 | 50 | - | | Максимальное импульсное обратное напряжение ,В: | 200 | 75 | 2 | | Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток, А: | 1 | 0,1 | 0,22 | | Максимально допустимый прямой импульсный ток, А: | 50 | 1,5 | 0,1 | | Максимальный обратный ток, мкА: | 50 | 1 | - | | Максимальное прямое напряжение, В: | 1 | 1,1 | 2 | | Максимальное время восстановления ,мкс: | 300 | 4 | 2 | | Общая емкость, Сд.пФ: | 60 | 3 | - | | Цвет свечения: | - | - | Красный | | Длина волны, нм: | - | - | 650-675 | | Минимальная сила света Iv мин., мКд: | - | - | 0,15 | | Цвет линзы: | - | - | Красный матовый | | Рабочая частота, кГц: | 100 | - | - | | Форма линзы: | - | - | Круглая | | Видимый телесный угол, град: | - | - | 20 | | |
Рисунок 3.4 - Светодиоды HL1, HL2, HL3.3.6 Транзисторы.Основные характеристики транзисторов VD1, HL1, HL2, HL3 приведены в таблице 3.5, сами элементы изображены на рисунке 3.5.Таблица 3.5 - Основные характеристики транзисторов VT1…..VT23.|
Название характеристики | Параметры характеристики | | | VТ1... VТ8,VТ15, VТ19...VТ21 | VТ22... VТ23 | VТ16, VТ18 | VТ9... VТ10 | VТ17 | | Тип: | Транзисторы биполярные | Транзисторы биполярные | Транзисторы полевые | Транзисторы биполярные | Транзисторы биполярные | | Модель: | КТ315Г | КТ972Б | КП501А | КТ209К | КТ3102ЕМ | | Корпус: | KT-13 | KT-27-2 | TO-92 | KT-26 | KT-26 | | Структура: | NPN | NPN | N-FET | PNP | NPN | | Максимальное напряжение сток-исток Uси, В: | - | - | 240 | - | - | | Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., В: | - | - | 1 | - | - | | Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс., Вт: | 0,15 | 8 | 0,5 | 0,2 | 0,25 | | Крутизна характеристики S, мА/В: | - | - | 100 | - | - | | Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц: | 250,00 | 200,00 | - | 5,00 | 300,00 | | Статический коэффициент передачи тока h21э мин: | 50 | 750 | - | 80 | 400 | | Максимально допустимый ток к ( Iк макс, А): | 0,1 | 4 | - | 0,3 | 0,1 | | Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. В цепи б-э.(Uкэr макс), В: | 35 | 45 | - | 45 | 20 | | Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: | 35 | - | - | 45 | 20 | | |
Рисунок 3.5 - а) Транзисторы биполярные КТ209К, VT9…VT10;б) Транзисторы биполярные КТ315Г, VT1…VT8, VT15, VT19…VT21;в) Транзисторы биполярные КТ972Б, VT22…VT23;г) Транзисторы биполярные КТ3102ЕМ, VT17.3.7 Семисегментные индикаторыОсновные характеристики семисегментных индикаторов приведены в таблице 3.6, сами элементы изображены на рисунке 3.6.Таблица 3.6 - Семисегментных индикаторы.|
Название характеристики | Параметры характеристики | | Модель: | С516RD | | Тип: | с общим анодом | | Макс. прямое напряж. (при токе 20 мА), В: | 2,5 | | Макс. прямой ток, мА | 25...30 | | Макс. обратное напряжение, В: | 5 | | Обратный ток (при напряжении 5 В), мкА: | 10 | | Мощность рассеивания, мВт: | 150 | | Макс. импульсный прямой ток, мА: | 140...160 | | Диапазон рабочих температур, °С: | -40…+85 | | |
Рисунок 3.6 - Семисегментный индикатор.3.8 РезисторыВ схеме используются R15 подстроечный резистор марки СП5-2 сопротивлением 680 Ом; остальные резисторы постоянные, номинальной мощностью 0,25 Вт марки С1-4 с точность 5%, кроме резисторов R13 и R16 с точностью 1%. R1 = 180 кОм; R2 = 12 кОм; R3... R10 = 51 Ом; R11 = 100 кОм; R12, R21... R25 = 1 кОм; R13, R16 = 10 кОм; R14 = 2,2 кОм; R17, R26... R28 = 220 Ом; R18 = 75 Ом; R19 = 2,7 кОм; R20 = 5,6 кОм;3.9 КонденсаторыВ схеме используются: С5 подстроечный конденсатор CTC-038-30RSM, изображенный на рисунке 3.7, с минимальной ёмкостью 4 пФ и максимально - 30пФ, добротностью менее 200; конденсаторы С1, С11, С6, С7 типа К50-35 (см. рисунок 3.8) соответственно ёмкостью 47 мкФ, 10 мкФ, 10 мкФ, 10 мкФ и рабочи-ми напряжениями 6,3 В, 25 В, 16 В, 16 В и допуском номинальной емкости 20%; конденсаторы С2, С3, С4, С9, С10, С12...С19 типа К10-17 (см. рисунок 3.9) с допуском номинальной емкости 5%, соответственно ёмкостью 33Ф, 33Ф, 5,1Ф, 1,2 мкФ, остальные 0,1 мкФ, температурный коэффициент емкости М47; Рисунок 3.7 - С5 подстроечный конденсатор CTC-038-30RSM.Рисунок 3.8 - Конденсаторы С1, С6, С7 типа К50-35.Рисунок 3.9 - Конденсаторы С2, С3, С4, С9, С10, С12...С19 типа К10-17.3.10 Микроконтроллер AT89C52-24PI.На рисунке 3.10 изображен Микроконтроллер AT89C52-24PI.Рисунок 3.10 - Микроконтроллер AT89C52-24PI. AT89C52-24PI - малопотребляющий, высокоэффективный 8-битовый микроконтроллер CMOS с 8 килобайтами, программируемой и стираемой памятью (PEROM). Устройство изготовлено, используя технологию компании Atmel энергонезависимой памяти высокой плотности и совместимо со стандартом промышленности 80C51 и 80C52 набора команд. На чипе энергонезависимой память позволяет памяти микросхемы быть повторно запрограммированной в сис-теме или обычным энергонезависимым программатором памяти. Комбинируя универсальный 8-битовый центральный процессор со энергонезависимой памятью на монолитном чипе, AT89C52 - мощный микроконтроллер, который обеспечивает очень гибкое и эффективное в затратах решение многих вложенных заявлений контроля.На рисунке 3.11 указаны выводы микроконтроллера. Более подробное устройство микроконтроллера приведено ниже (см. рисунок 3.12).Рисунок 3.11 - Выводы микроконтроллера AT89C52-24PI. Рисунок 3.11 - Устройство микроконтроллера. Порт Р0 - 8-битовый двунаправленный порт ввода / вывода. Может поддерживать восемь входов TTL, может использоваться как вход высокого импеданса. Порт 0 может быть мультиплексной шиной адреса/данных младшего разряда в течение доступов к внешней программе и памяти данных. В этом случае, P0 имеет внутреннее напряжение-ups. Порт Р0 также получает кодовые байты в течение программирования памяти и кодовые байты в течение проверки программы.Порт Р1 - 8-битовый двунаправленный порт ввода / вывода с внутренним pullups. Порт 1 буфер продукции может быть слив/источником четырех входов TTL. Кроме того, P1.0 и P1.1 могут быть таймером внешнего счета (P1.0/T2) и 2 спусковых механизма (P1.1/T2EX), соответственно. AT89C52 обеспечивает следующие стандартные особенности: 8 килобайтов памяти, 256 байтов RAM, 32 линий ввода / вывода, трех таймеров на 16-бит, два уровня с шестью векторами прерывают архитектуру, полный двойной последовательный порт, генератор ТИ, и схему часов. Кроме того, AT89C52 разработан со статической логикой и поддерживает два программных обеспечения Пониженное напряжение экономит содержание RAM, но замораживает генератор, повреждая все другие функции чипа до следующего сброса аппаратных средств. Порт Р1 также получает байты адреса младшего разряда в течение программирования памяти и проверки программы.
Страницы: 1, 2, 3
|
